Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур

Гранты и субсидии
9 млн Р
18 дней
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков
ФЦПИР 2014-2020
Опубликовано 30 марта 2017

В рамках Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы» стартовал конкурс проектов по мероприятию 1.2 Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.

Цель работы

Создание эпитаксиальных широкозонных гетероструктур соединений А3-нитридов на подложках нитрида галлия и/или алмаза для силовых транзисторов и/или силовых диодов и образцов новой СВЧ техники с улучшенными параметрами, обеспечивающие повышение КПД не менее чем на 10% и/или частоты преобразования не менее чем в 1,5 раза и/или коммутируемого напряжения не менее чем в 2 раза и/или удельной выходной СВЧ мощности не менее чем в 2 раза.

Подробности можно узнать на странице конкурса.

Материал подготовлен на основе данных сервиса Научные проекты

Система Orphus Если Вы заметили ошибку, выделите её и нажмите Ctrl + Enter.

Хотите получать информацию обо всех новых конкурсах?
Выберите только интересное и настройте параметры подписки в личном кабинете.

Ctrl+Enter
Esc
?

Комментарии

Для того чтобы оставить комментарий, необходимо войти в систему или зарегистрироваться.