Эксπир
Регистрация / Вход

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

Ученые ТГУ совместно с индустриальным партнером АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения.

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

Физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

В частности, разрабатываются мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor - HEMT) для осуществления сотовой, спутниковой и радиосвязи на высоких частотах. Проект поддержан технологическими платформами «Национальная информационная спутниковая система» и «Национальная космическая технологическая платформа».

В реализации междисциплинарного проекта на стыке физики, радиофизики и химии задействованы ученые РФФ, ФТФ и ФФ ТГУ.
- Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры, - говорит научный руководитель проекта, директор НОЦ «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ Валентин Брудный . - Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкопленочные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счет нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались.
По словам Валентина Брудного , сейчас для производства НЕМТ применяются, главным образом, такие полупроводники, как GaAs, InAs, GaSb. Они обеспечивают высокие рабочие частоты, но имеют малые выходные мощности из-за особенностей их электронных свойств. Применение полупроводниковых нитридов для производства НЕМТ-транзисторов и, в частности, гетероструктуры InAlN/GaN позволит увеличить их удельную мощность, повысить термическую стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.
В процессе изготовления HEMT летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Суммарная толщина всех слоев составит несколько микрометров (1 мкм=10 метра), что в десятки раз меньше диаметра человеческого волоса.

Работы по созданию НЕМТ на основе гетероструктуры InAlN/GaN начаты в ряде фирм во всем мире, но их промышленное производство в настоящее время отсутствует. По окончании проекта ТГУ должен подготовить технологическую документацию для передачи индустриальному партнеру - АО НПФ «Микран» , который приступит к промышленному выпуску таких НЕМТ-транзисторов. Компания является одной из наиболее динамично развивающихся высокотехнологичных предприятий в России.
Добавим, что ПНИЭР «Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения» № 14.578.21.0240 от 26.09.2017 г. осуществляется в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» (Уникальный идентификатор проекта RFMEFI57817X240).

Сумма разработки - 300 миллионов рублей, из которых 150 миллионов - субсидия от Минобрнауки РФ, вторая половина - вложение индустриального партнера. Окончание работ намечено на декабрь 2019 года.

Источник:ТГУ

Система Orphus Если Вы заметили ошибку, выделите её и нажмите Ctrl + Enter.
Ctrl+Enter
Esc
?

Комментарии

Для того чтобы оставить комментарий, необходимо войти в систему или зарегистрироваться.