Эксπир
Регистрация / Вход

Создание высокорентабельных производств полупроводниковых приборов нового поколения на основе кремния и карбида кремния и преобразователей электрической энергии на их основе

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.431.11.7000
Продолжительность работ
2005 - 2009, 49 мес.
Бюджетные средства
342 млн
Внебюджетные средства
812,5 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

5
01.01.2007 - 31.12.2007
1. В рамках 5 этапа государственного контракта от «10» ноября 2005г. № 02.431-11.7000 выполнены следующие работы «Освоение в серийном производстве продукции по проекту. Совершенствование выпускаемых преобразователей типа ВИП, В-ТПЕД, ВГ-ТПХ, ВАЗП, УПП путем внедрения нового поколения полупроводниковых приборов на основе кремния».
2. В результате выполнения работ достигнуты следующие результаты:
2.1.Приобретено и запущено технологическое и контрольно-измерительное оборудование.
2.2.Выполнены строительно-монтажные работы.
2.3.Изготовлены установочные партии разработанной продукции.
2.4.Проведены квалификационные испытания установочной партии.
2.5.Введены изменения в техническую документацию по результатам испытаний Проведено присвоение КД и ТД литеры «А».
2.6.Выпущены извещения об изменении действующей КД.
2.7.Изготовлены установочные партии усовершенствованных преобразователей типа ВИП, В-ТПЕД, ВГ-ТПХ, ВАЗП, УПП.
2.8.Проведены типовые испытания усовершенствованных преобразователей.
2.9.Выпущены извещения действующей КД по результатам типовых испытаний.
В результате реализации этапа 5 проекта созданы высокорентабельные производства полупроводниковых приборов нового поколения на основе кремния и карбида кремния и преобразователей электрической энергии на их основе. Разработанные изделия обладают высоким научно-техническим уровнем и конкурентоспособностью, поскольку они по своим техническим характеристикам соответствуют или превосходят лучшие зарубежные аналоги и в то же время имеют цену на 20-30% ниже чем аналоги. Это позволяет осуществить комплексную модернизацию отечественной силовой полупроводниковой элементной базы и привести ее структуру и технический уровень в соответствии с требованиями современной полупроводниковой преобразовательной техники, что в свою очередь усиливает конкурентные позиции отечественных товаропроизводителей на внутреннем и внешних рынках.
Развернуть
6
01.01.2008 - 15.12.2008
Приобретено спецоборудование за счет внебюджетных средств для обеспечения запланированных объемов производства ЭС и ДШ;
Осуществлены строительно-монтажные работы, необходимые для за-пуска этого оборудования в эксплуатацию;
Осуществлен ввод приобретенного оборудования в эксплуатацию.
Получено два патента на полезные модели:
1) Патент на полезную модель №7041
«Силовой импульсный полупроводниковый диод».
2) Патент на полезную модель №70070
«Преобразовательное устройство с естественным воздушным охлажде-нием».
Развернуть
7
01.01.2009 - 10.12.2009
Изготовление установочных партий продукции, разработанной по проекту:
ПКК – 3 шт., ЭС – 3 шт., ДШ – 80 шт.
Проведение квалификационных испытаний.
Введение изменений в техническую документацию по результатам испытаний с присвоением КД и ТД литеры «А».
Производство и реализация продукции по проекту
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

3.1 Реализация важнейших инновационных проектов государственного значения по приоритетным направлениям Программы
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового поколения высокоэффективных преобразователей бета-излучения в электрическую энергию на основе радиационно-стойких полупроводниковых структур
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
26,7 млн
Количество заявок
1
Тема
Синтез тонких пленок карбида кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов модифицирующих воздействий на углеграфитовые волокнистые материалы, стеклоуглерод и кремний с целью повышения их электрокаталитической активности, обеспечения повышения энерго- и ресурсосбережения производств.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1