Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка технологии создания нанокристаллических материалов методами низкотемпературного осаждения полупроводниковых оксидов и молекулярного наслаивания гетероструктур для производства солнечных элементов нового поколения

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3151
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
6 млн

Исследования основных закономерностей формирования перспективных функциональных полупроводниковых, диэлектрических, проводящих материалов и структур, установление взаимосвязи их состава, структуры и свойств. Развитие новых технологических процессов, методов и технологических приемов обработки материалов и структур для улучшения эксплуатационных характеристик и придания им новых или ранее не достижимых функциональных свойств, пригодных для создания эффективных приборов и устройств в соответствии с требованиями электроники, производства и эффективного использования энергии, связи и информационных технологий, медицины и здравоохранения

Соисполнители

Предложения

Разработка технологии создания нанокристаллических материалов методами низкотемпературного химического осаждения полупроводниковых оксидов и молекулярного наслаивания гетероструктурдо для производства солнечных элементов нового поколения
Тема
Разработка технологии создания нанокристаллических материалов методами низкотемпературного химического осаждения полупроводниковых оксидов и молекулярного наслаивания гетероструктурдо для производства солнечных элементов нового поколения
Входящий номер
4093
Организация
МИЭТ
Руководитель организации-инициатора
Беспалов Владимир Александрович

Этапы проекта

1
09.04.2007 - 30.06.2007
В ходе выполнения первого этапа НИР проведены анализ научно-технической литературы и патентные исследования, позволившие выбрать основные материалы и конструкцию солнечных элементов.
На основе теоретического анализа принципов работы и процессов формирования солнечных элементов разработана общая методика проведения исследований, учитывающая как проведение исследований свойств отдельных слоев и ячеек солнечных элементов, так и оптимизацию технологических процессов.
Проведен расчет ориентировочной эффективности от внедрения результатов настоящей работы.
Развернуть
2
01.07.2007 - 07.12.2007
1. Цель и задачи этапа работ:
Экспериментальные исследования процессов формирования функциональных слоев

2. Работы, выполненные на отчетном этапе:

– Разработка технологии осаждения полупроводниковых гетеропереходов нанометровой толщины.
– Изготовление и исследование лабораторных образцов полупроводниковых гетеропереходов нанометровой толщины.
– Составление промежуточного отчета.

3. Результаты:
  – Составлен промежуточный научно-технический отчет;
  – Описаны методы формирования функциональных слоев и разработана лабораторная технологическая инструкция осаждения полупроводниковых гетеропереходов нанометровой толщины;
  – Изготовлены и испытаны лабораторные образцы полупроводниковых гетеропереходов нанометровой толщины и составлены соответствующие акт изготовления и протоколы испытаний.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.06.2008
Описан технологический маршрут;
  Изготовлены экспериментальные образцы фотоэлектронных преобразователей и составлен акт изготовления;
  Проведена метрологическая проработка показателей эффективности фотоэлектрического преобразования солнечных элементов;
  Измерены характеристики экспериментальных образцов и составлены протоколы измерений.
Развернуть
4
01.07.2008 - 31.10.2008
Представлены результаты дополнительных исследований, на основании которых скорректирован ряд технологических операций
  Разработана технология создания эффективных омических контактов в структуре на основе никеля;
  Разработан метод химического осаждения ZnO для создания на базовом слое массива нитевидных нанокристаллов, обеспечивающих развитую поверхность базового слоя;
  Представлены сведения о топологии металлизации и проводниковых межсоединений для встраивания фотоэлектрических элементов в батарею.
  Показано, что при достижении в разрабатываемых солнечных элементах КПД ~ 5 - 7% они будут являться конкурентоспособной продукцией на существующем рынке солнечной энергетики.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
8 млн
Организация
ООО "НИИ НМСН"
профинансировано
Тема
Разработка технологических основ получения функциональных полупроводниковых, диэлектрических и проводящих материалов для перспективных приборных разработок
Продолжительность работ
2007 - 2008, 19 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
43
Тема
Разработка методов получения и обработки нового класса функциональных редкометаллических материалов
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
16 млн
Количество заявок
6
Тема
Создание стандартных образцов состава и свойств многослойных наногетероструктур для метрологического обеспечения измерений профилей состава функциональных покрытий и приборов наноэлектроники на гетероструктурах.
Продолжительность работ
2011, 6 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Количество заявок
1
Тема
Нанокластерированные ферромагнитные материалы для приборов полупроводниковой спиновой наноэлектроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка перспективных источников энергии на основе полупроводниковых многопереходных солнечных элементов
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
13