Эксπир
Регистрация / Вход

Полупроводниковые наноструктурированные матариалы на основе кремния для оптоэлектроники

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3156
Организация
ИФП СО РАН
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
2,7 млн

Создание технологии получения новых материалов, необходимых для изготовления высокоэффективных детекторов и спектрометров, имеющих рекордные параметры по чувствительности, быстродействию и спектральному разрешению для применения в различных фоторегистрирующих системах, фотоприемниках, способных встраиваться в комплекс волоконно-оптических линий связи на едином кремниевом чипе, для телекоммуникационных систем, детекторах-спектрометрах, работающих в терагерцовой области спектра для использования в медицине и здравоохранении и контроле окружающей среды (медицинские томографы, сканеры безопасности и т.д.)

Этапы проекта

1
05.04.2007 - 31.08.2007
Разработана методика формирования плотного массива Ge нанокластеров в кремнии с плотностью (3-10) 10 11 см-2 и средним размером 12 нм на подложках кремний на изоляторе.
Разработаны способы повышения однородности Ge нанокластеров по размеру.
Построена физическая модель процессов в фоточувствительном слое.
Выбраны средства и методы контроля создаваемых материалов.
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
Составлен и оформлен отчет.
Развернуть
2
01.09.2007 - 07.12.2007
Разработана методика формирования многослойных гетероструктур Ge/Si c Ge нанокластерами.
Изготовлены экспериментальные образцы наноструктурированных материалов.
Исследованы структурные и оптические характеристики наноструктурированных материалов.
Проведен выбор и разработана конструкция фоточувствительной ячейки на основе гетероструктур Gе/Si с квантовыми точками.
Построена математическая модель процессов в фоточувствительной ячейке.
Разработаны и обоснованы методы измерений параметров фотодетекторов.
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
Составлен и оформлен отчет.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.06.2008
Оптимизация технологии формирования фоточувствительных слоев ИК фотодетекторов на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge;
  Изготовление экспериментальных образцов ИК фотодетекторов различных типов.
  Исследование фотоэлектрических параметров изготовленных приборов;
  Создание экспериментальной установки для измерения времени нарастания и спада импульсов фотоотклика образцов фотоприемников и определения предельной частоты следования фотоимпульсов;
  Моделирование процессов в фоточувствительных элементах.
Развернуть
4
01.07.2008 - 31.10.2008
Разработана физико-математическая модель, описывающая распределения упругих деформаций кристалла Si
  Разработана технология изготовления фоточувствительных слоев на базе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge.
  Исследованы частотные характеристики образцов ИК детекторов. Показано, что максимальной полосой пропускания (до 16ГГц на уровне -3 дБ) обладают фотодетекторы на основе Ge/Si наноструктур с 30-ю слоями квантовых точек Ge.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Отработка научных основ технологии получения наноматериалов для высокоэффективных детекторов излучения в области 0.2-4000 микрон
Продолжительность работ
2007 - 2008, 19 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
8
Тема
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.3-1.5 мкм
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
11
Тема
Разработка технологии изготовления модифицированной кристаллической наноструктуры сверхпроводников и создание многоэлементных однофотонных детекторов на их основе для нового поколения квантово-криптографических систем связи.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка полупроводниковых детекторов одиночных фотонов для длины волны оптоволоконного стандарта связи
Продолжительность работ
2015 - 2016, 14 мес.
Бюджетные средства
40 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения рентгеночувствительного селенида цинка и создание на его основе линейной матрицы рентгеновских детекторов для медицинской томографии.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
16,7 млн
Количество заявок
3