Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.38 - 1.54 мкм

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3169
Организация
ИПЛИТ РАН
Руководитель работ
Панченко Владислав Яковлевич
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
2,5 млн

Разработка методов получения полупроводниковых материалов и наноструктур для изготовления высокоэффективных лазеров и светодиодов с рекордной излучающей способностью в ИК, видимой(зеленой) и/или УФ спектральных диапазонах для массового применения в одной из областей: для полноцветных дисплеев и интегральных источников белого света, предпочтительно на базе одной материальной системы, активных элементов телекоммуникационного, навигационного, литографического, диагностического медицинского и другого оптического оборудования в диапазоне 0.3-1.5 мкм, и в технологических системах обработки, сварки, резки и испарения материалов

Соисполнители

Этапы проекта

1
20.04.2007 - 31.07.2007
Проведен анализ научно-технической литературы по теме проекта.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
Проведен выбор легирующих материалов для получения пленок оксида цинка с электронным типом проводимости.
Разработана общая методика проведения исследований. Произведена модернизация экспериментальных установок по получению пленочных структур.
Получены и определены свойства и параметры пленок оксида цинка нанометровых толщин и его сплавов с оксидом галлия. Сопоставлены ожидаемые показатели с существующими показателями пленок зарубежных аналогов.
Создана экспериментальная установка по получению образцов Si/SiOx.
Cоставлен промежуточный отчёт.
Развернуть
2
01.08.2007 - 31.12.2007
1. Разработан способ создания пленок оксида цинка нанометровых толщин методом импульсного лазерного напыления и определение свойств и параметров пленок нанометровых толщин оксида цинка и его сплавов с окислами галлия и магния, как базовых структур многократных квантовых ям.
2. Разработан способ создания тонких пленок оксида цинка методом импульсного лазерного напыления при легировании пленок оксида цинка элементами пятой группы.
3. Получены образцы nc-Si/SiO2. Легирование образцов примесью эрбия. Исследованы структурные свойства образцов.
4. Разработан метод осаждения пленок SiOx с x < 2 на кремниевые и кварцевые подложки; исследованы режимы термического и лазерного отжига для формирования пленок «нанокластеры Si в матрице SiOx» (нк-Si/SiOx) с заданными размерами и концентрацией нанокластеров Si.
5. Сопоставлены полученные результаты с выводами рабочих гипотез.
6. Составлен промежуточный отчет.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.04.2008
Проведены фундаментальные поисковые исследования по следующим направлениям:
  разработка способа создания тонких пленок оксида цинка методом импульсного лазерного напыления при легировании пленок оксида цинка галлием и азотом;
  исследование люминесцентных свойств пленок ZnO при непрерывном и импульсном оптическом возбуждении.
  исследование люминесцентных свойств полученных образцов nc-Si/SiO2 при непрерывном и импульсном оптическом возбуждении
  исследование возможности реализации оптического усиления и лазерной генерации в исследуемых структурах.
Развернуть
4
01.05.2008 - 31.10.2008
Развита феноменологическая модель переноса энергии и излучательных процессов в нанокристаллических полупроводниковых структурах, легиро-ванных редкоземельными примесями.
  Разработана теория свето-диода на основе МОП структуры «Al – пленка нк-Si/SiO2 – (p-Si)».
  Созданы лабораторные образцы электролюминесцентных светодиодов на нк-Si/SiO2.
  Получены образцы с параметрами, обеспечивающими изготовление свето-диодов и лазеров на p-n переходах, излучающих в синем и ближнем УФ диа-пазоне.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Тема
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.3-1.5 мкм
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
11
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления фотонных интегральных схем лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1