Эксπир
Регистрация / Вход

Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм для перспективных волоконно-оптических систем телекоммуникационного и радиолокационного применений

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3170
Организация
ИОНХ РАН
Руководитель работ
Васильев Михаил Григорьевич
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
9 млн
Внебюджетные средства
2,6 млн

Разработка методов получения полупроводниковых материалов и наноструктур для изготовления высокоэффективных лазеров и светодиодов с рекордной излучающей способностью в ИК, видимой(зеленой) и/или УФ спектральных диапазонах для массового применения в одной из областей: для полноцветных дисплеев и интегральных источников белого света, предпочтительно на базе одной материальной системы, активных элементов телекоммуникационного, навигационного, литографического, диагностического медицинского и другого оптического оборудования в диапазоне 0.3-1.5 мкм, и в технологических системах обработки, сварки, резки и испарения материалов

Соисполнители

Организация
МИРЭА, МГУПИ, МИТХТ
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе

Этапы проекта

1
20.04.2007 - 30.06.2007
1.1. Выбрано и обоснованно направление исследований и способов решения поставленных задач.
1.2. Проведены аналитические исследования по периодической научной литературе, патентной документации, фирменным материалам и материалам конференций.
1.3 Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96
1.4. Сформулированы возможные направления решения задач, поставленных в ТЗ, и проведена их сравнительная оценка.
1.5 Разработана общая методика проведения технологических исследований вариантов лазерных структур.
1.6. Осуществлена закупка и входной контроль комплектующих, материалов, спецоборудования для экспериментальных работ.
1.7. Подготовлен и составлен промежуточный отчет.
Развернуть
2
01.07.2007 - 31.12.2007
1. Разработаны рабочие гипотезы, построены математические модели лазерных структур и лазерных излучателей, обоснованы допущения.
2. Проведены эксперименты для получения фрагментов эпитаксиальных структур и полосковых мезаструктур.
3 Проведены расчеты ожидаемых параметров лазерных структур и лазерных излучателей по разработанным моделям.
4. Разработаны методики экспериментальных исследований лазерных структур и лазерных излучателей, разработаны испытательные установки для исследования параметров лазерных структур на постоянном токе.
5 Разработана технологическая оснастка и комплект лабораторных маршрутно-технологических карт для изготовления экспериментальных образцов лазерных структур.
6. Изготовлены экспериментальные образцы лазерных структур и мезаполосковых структур.
7. Осуществлена Закупка и входной контроль комплектующих, материалов, спецоборудования для экспериментальных работ.
8. Подготовлен и составлен промежуточный отчет.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.06.2008
Проведены лабораторные испытания оптических, физико-химических и электрических параметров на постоянном токе экспериментальных образцов лазерных структур.
  Выполнена корректировка теоретических моделей лазерных структур по результатам испытаний.
  Разработана методика исследования параметров лазерных излучателей в СВЧ диапазоне и характеристик передачи аналоговых СВЧ сигналов и высокоскоростных цифровых сигналов..
Развернуть
4
01.07.2008 - 31.10.2008
.
  Разработаны и изготовлены специальные измерительные камеры
  Создан комплект технологической оснастки
  Был проведен комплекс эксперимен-тальных исследований.
  Было осуществлено сопоставление результатов математического моделирования на основе скорректированных в ходе выполнения этапа 3 моделей и экспе-риментального исследования разработанных лазерных излучателей.
  Показана возможность создания экспериментальных образцов лазер-ных диодов, работающих с высоким произведением мощности на полосу излучения.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.3-1.5 мкм
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
11
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления фотонных интегральных схем лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1