Эксπир
Регистрация / Вход

Материалы и процессы для создания структур наноэлектроники.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3262
Организация
ИНХ СО РАН
Руководитель работ
Кузнецов Федор Андреевич
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0,45 млн

В результате выполнения каждой работы должен быть создан необходимый научно-технический задел, обеспечивающий переход к проведению опытно-конструкторских работ с целью последующей коммерциализации

Этапы проекта

1
25.06.2007 - 20.11.2007
Объектами исследования был ряд перспективных функциональных материалов и технологий: диэлектрические слои на основе карбонитридов бора и кремния, нано формы углерода (нанотрубки), кластерные соединения тяжелых металлов.
Целью работы была разработка вышеперечисленных материалов и процессов их синтеза для использования в технологии электронных приборов высокого уровня интеграции нынешнего и будущих поколений с наноразмерными элементами, углубление представлений о связи структуры и состава со свойствами материалов, изучение зависимостей свойств материалов с параметрами процессов их синтеза, совершенствование процессов и аппаратуры приготовления материалов, уточнение областей их применения.
Все пункты технического задания выполнены полностью. В числе наиболее значительных результатов работы можно упомянуть следующие:
1) Разработан процесс синтеза диэлектрических слоев на основе системы HfO2-Al2O3 из сложных летучих комплексов гафния и алюминия методом CVD со значением параметров (пленки твердых растворов имеют аморфную структуру, токи утечки от 10-3 А/см2 до 10-7А/см2, диэлектрическая постоянная ~15), позволяющих использовать эти слои для создания интегральных схем сверхвысокого уровня интеграции.
2) Разработаны новые процессы синтеза диэлектрических слоев карбонитридов кремния и бора методом химического осаждения из газовой фазы с использованием нетрадиционных исходных веществ: гексаметилциклотрисилазана и триметилборазина, соответственно. Материал имеет следующие значения напряжение пробоя: для низкотемпературных пленок ~ 106-108 В/см, для высокотемпературных пленок – 105-106 В/см. Значение диэлектрической постоянной 2,5 – 4.0.
Совокупность полученных в ходе выполнения контракта данных с ранее найденными позволили построить диаграммы зависимости свойств фазовых комплексов систем Si – C – N и B – C – N от состава с учетом электрических, оптических и механических характеристик материалов. Это дает возможность уточнить направления применения этих материалов.
3) Проведены высокоточные измерения термодинамических характеристик летучих соединений гафния, никеля и меди, применяемые в CVD процессах технологии наноэлектронных устройств. Пополнены базы данных Банка данных «Свойства материалов электронной техники» и проведено усовершенствование программного обеспечения, облегчающего использование информационной системы, применяемой для моделирования процессов синтеза материалов.
4) Разработана методика синтеза ориентированных углеродных нанотруб, на основе которой созданы прототипы холодных катодов для миниатюрной рентгеновской аппаратуры.
5) Разработаны методики синтеза новых кластерных комплексов переходных металлов (в частности, рения) и определены их структуры.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
МИЭТ
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИХТТМ СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области живых систем по критической технологии «Клеточные технологии» (мероприятие 1.2. Программы).
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
15,6 млн
Количество заявок
16
Тема
Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области живых систем по критической технологии «Технологии биоинженерии» (мероприятие 1.2. Программы).
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
10,8 млн
Количество заявок
14
Тема
Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области живых систем по критической технологии «Биокаталитические, биосинтетические и биосенсорные технологии» (мероприятие 1.2. Программы).
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
4,8 млн
Количество заявок
9
Тема
Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области живых систем по критической технологии «Биомедицинские и ветеринарные технологии жизнеобеспечения и защиты человека и животных» (мероприятие 1.2. Программы).
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
18 млн
Количество заявок
40
Тема
Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области живых систем по критической технологии «Геномные и постгеномные технологии создания лекарственных средств» (мероприятие 1.2. Программы).
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
8,4 млн
Количество заявок
6