Эксπир
Регистрация / Вход

Исследование технологии создания квантовых наногетероструктур для излучателей среднего инфракрасного диапазона на основе AlGaAsSb/InGaAsSb, выращенных на подложке InGaSb для перспективных оптоэлектронных применений

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3339
Организация
АО "Гиредмет"
Руководитель работ
Пархоменко Юрий Николаевич
Продолжительность работ
2007 - 2008, 14 мес.
Бюджетные средства
1,5 млн
Внебюджетные средства
1,5 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
01.08.2007 - 31.10.2007
Проведен анализ данных литературы по эпитаксиальному наращиванию эпитаксиальных композиций AlGaAsSb, InGaAsSb изопериодных с антимонидом галлия.
Отработаны режимы изготовления пластин-подложек антимонида галлия для эпитаксиального наращивания.
Отработаны режимы получения эпитаксиальной гетероструктуры Al0,55Ga0,45As0,05Sb0,95 — In0,24Ga0,76As0,22Sb0,78 и определены:
- температура эпитаксиального наращивания;
- составы расплавов;
- время выращивания слоев структуры.
Параметры структуры измерены на пробных диодах
Развернуть
2
01.11.2007 - 31.12.2007
Проведены эксперименты по уточнению линии ликвидуса в системе In-Ga-Sb для температуры 480 ºC.
Подобраны составы растворов-расплавов для выращивания эпитаксиальных слоев и концентрации индия в жидкой фазе в диапазоне 4,34-25,2 ат. %.
Определены величины переохлаждения растворов-расплавов для устойчивого роста монокристаллических слоев InGaSb.
Получены монокристаллические однослойные эпитаксиальные структуры InGaSb/GaSb с содержанием индия в твердой фазе до 2,6 ат. % и двухслойные структуры с содержанием индия до 4 ат. %.
Отработаны методики подготовки пластин-подложек антимонида галлия для эпитаксиального наращивания слоев InGaSb.
Опробован графитовый контейнер для выращивания эпитаксиальных слоев (однослойных и двухслойных) InGaSb на подложке антимонида галлия.
Определены скорости роста эпитаксиальных слоев InGaSb.
Составлено задание на проведение патентных исследований.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.06.2008
Исследованы особенности выращивания методом жидкофазной эпитаксии слоев твердых растворов In1–xGaxSb (x ? 0,06) на подложках GaSb с плоскостью ориентации (100) при температурах 478 ?C и 407 ?C.
Экспериментально определены составы жидкой фазы для получения слоев твердых растворов In1–xGaxSb в диапазоне составов x = 0-0,06 и температур роста 478 °C и 407 °C.
Получены однослойные и двухслойные монокристаллические структуры твердых растворов In1–xGaxSb в диапазоне составов x = 0-0,03 для однослойной структуры и в диапазоне составов x = 0-0,06 для двухслойной структуры.
Проведены исследования эпитаксиальных структур In1–xGaxSb/GaSb методами рентгеновской топографии и изучена морфология их поверхности при изменении условий роста.
Определены параметры деформированной элементарной ячейки эпитаксиальных слоев, по которым были определены ее параметры в свободном состоянии и исходя из правила Вегарда определен состав твердого раствора.
Построена зависимость плотности дислокаций от состава в одно- и двухслойных структурах In1–xGaxSb.
Получены трехслойные и четырехслойные композиции твердых растворов In1–xGaxSb.
Составлен отчет о патентных исследованиях.
Развернуть
4
01.07.2008 - 31.10.2008
Разработаны лабораторные методы рентгенодифрактометрических исследований.
Определены величины остаточных упругих напряжений эпитаксиальных слоев, определены периоды решетки монокристаллов (подложек GaSb), эпитаксиальных слоев InxGa1–xSb.
Проведено сопоставление измерений состава твердых растворов с данными энергодисперсионного спектроскопического контроля.
Исследован состав, морфология, дислокационная структура и свойства монокристаллов, эпитаксиальных слоев и квантовых гетероструктур.
Проведены исследования в департаменте электротехники и компьютерной техники Нью-Йоркского государственного университета по созданию квантовой гетероструктуры AlGaAsSb/InGaAsSb и AlInGaAsSb/InGaAsSb.
Определены технологические условия получения совершенной гетероструктуры, обеспечивающие стехиометрию поверхности.
На образцах квантовых гетероструктур были получены лазерные диоды, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 3-3,5 мкм.
Разработаны выводы и рекомендации по результатам патентных исследований.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2017 - 2019, 35 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2016 - 2018, 26 мес.
Бюджетные средства
31 млн
Организация
Университет ИТМО
профинансировано
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных приборов нового поколения (оптоэлектронный преобразователь сигнала для ВОЛС в диапазоне частот до 200 ГГц)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения (кремниевый ИК-фотоприемник с обработкой сигнала в ячейках матрицы).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
19,06 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Резонансно-туннельные наногетероструктуры для квантово-классических интегральных схем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1