Новые наногетероструктуры ферромагнетик-полупроводник и ферромагнетик-антиферромагнетик для создания базовых элементов спинтроники

Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96
Выбрано и обосновано принятое направление исследования и способы решения поставленных задач.
Сопоставлены ожидаемые показатели новой продукции после внедрения результатов НИР с существующими показателями изделий-аналогов или с действующей нормативно-технической документацией.
Разработаны методы получения ФМ-АФМ и ФМ-ПП наногетероструктур для ячеек памяти
Разработана общая методика проведения испытаний лабораторных образцов ФМ-АФМ и ФМ-ПП.
Проведены необходимые расчеты и математическое моделирование идентификации и параметризации наноструктур

Разработана лабораторная технология получения наноструктур ФМ-АФМ и ФМ-ПП методом молекулярно-лучевой эпитаксии, элионной и плазменной технологии.
Изготовлены лабораторные образцы наноструктур ФМ-АФМ и ФМ-ПП.
Проведены испытания лабораторных образцов ФМ-АФМ и ФМ-ПП.

Изготовлены лабораторные образцы наноструктур ФМ-АФМ и ФМ-ПП по скорректированной лабораторной технологии. Проведены дополнительные испытания лабораторных образцов наноструктур ФМ-АФМ и ФМ-ПП. Разработаны методы управления практически важными магнитными свойствами наногетероструктур.

Изготовлен макет универсальной установки для изучения магнитных свойств наногетероструктур с использованием оптических методов управления магнитных свойств. Разработан метод изготовления макета ячейки памяти с оптическим методом записи и считывания информации методом безмасочного напыления наногетероструктур ФМ-ПП и ФМ-АФМ