Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3423
Продолжительность работ
2008, 1 мес.
Бюджетные средства
2,4 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Создание метода получения ионно-легированных структур на основе карбида кремния для перспективных разработок нового поколения приборов силовой электроники, работоспособных в экстремальных условиях эксплуатации (повышенные температуры и уровень радиации, химически агрессивные среды, космос).

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Романов Роман Иванович

Предложения

Синтез и исследование свойств нанокластерных систем на основе карбида кремния и углерода
Тема
Синтез и исследование свойств нанокластерных систем на основе карбида кремния и углерода
Исследование кинетики фазовых превращений при формировании наноразмерных слоев, гетеропереходов и структур на основе карбида кремния и его твердых растворов с нитридами алюминия и галлия.
Тема
Исследование кинетики фазовых превращений при формировании наноразмерных слоев, гетеропереходов и структур на основе карбида кремния и его твердых растворов с нитридами алюминия и галлия.
Входящий номер
1326
Организация
ДГУ
Руководитель организации-инициатора
Рабаданов Муртазали Хулатаевич
 Показать еще 3 предложения
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
14.10.2008 - 28.11.2008
1. Проведение патентных исследований.
2. Исследование влияния режимов нанесения тонких слоев и термообработки металлов (сплавов) на свойства омических контактов к карбиду кремния.
3. Исследование влияния режимов ионной имплантации и концентрации примеси в подложке на напряжение пробоя диодных карбидокремниевых структур.
4. Разработка метода вакуумного лазерного осаждения на SiC-подложки металлических пленок заданного химического состава и структуры.
5. Разработка метода высоко-энергетической ионной имплантации из импульсной лазерной плазмы требуемых металлических элементов в SiC-подложки.
6. Исследование глубинного распределения внедренных ионов от режимов и дозы имплантации.
7. Компьютерное моделирование, обеспечивающее оптимизацию технологических процессов осаждения слоев и ионной имплантации в SiC-подложки из импульс-ного лазерно-инициированного потока атомов и ионов.
8. Наработка лабораторных образцов тонкопленочных и ионно-имплантированных структур на SiC-подложках.
9. Исследование электрофизических свойств сформирован-ных тонкопленочных и ионно-имплантированных струк-тур на SiC-подложках, выявление их зависимости от режи-мов осаждения/ имплантации, пред- и постобработки SiC- подложек.
10. Исследование температурной стабильности омических контактов к карбиду кремния.
11. Исследование физико-технологических особенностей формирования тонких пленок нанометровой толщины и ионно-легированных структур на основе карбида кремния при использовании лазерных методов осаждения и имплантации.
12. Разработка методики формирования омических контактов к карбиду кремния.
13. Разработка методики формирования ионно-легированных слоев.
14. Проведение технико-экономической оценки рыночного потенциала полученных результатов.
15. Разработка проекта ТЗ на выполнение ОКР.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Научно-методическое и организационно-техническое сопровождение проведения школы-семинара «Широкозонные полупроводниковые материалы для экстремальной электроники: проблемы в микро - и нанотехнологиях» в рамках Международной научной конференции «Полупроводниковые материалы для микро- и наноэлектроники».
Продолжительность работ
2008, 5 мес.
Бюджетные средства
0,5 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1