Эксπир
Регистрация / Вход

Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.0002
Организация
ИФП СО РАН
Руководитель работ
Латышев Александр Васильевич
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.

Этапы проекта

1
04.08.2008 - 20.11.2008
Разработаны и апробированы новые методы наноструктурирования поверхности с технологическими размерами до 20 нм.
Созданы наноструктуры на основе гетеросистемы TiN-SiO2-Si для изучения эволюции перехода сверхпроводник-металл к переходу сверхпроводник-изолятор.
Разработаны методы моделирования и цифровой обработки электронно-микроскопических изображений с целью получения адекватной количественной информации об атомном строении низкоразмерных систем.
Разработаны и созданы высокоточные тест-объекты для обеспечения единства измерений линейных размеров в диапазоне 0,1-100 нм и высокоточные маски для технологии Nano-Imprint Lithography в качестве калибровочных стандартов для метрологических применений в нанотехнологиях.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИАПУ ДВО РАН
профинансировано
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование полупроводниковых наноструктур для генераторов микроволнового излучения и поляритонных лазеров.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование условий формирования и свойств низкоразмерных наноструктур на поверхности полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3