Эксπир
Регистрация / Вход

Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.0006
Организация
ИФМ РАН
Руководитель работ
Красильник Захарий Фишелевич
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Гавриленко Владимир Изяславович

Предложения

Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Входящий номер
8160
Организация
ИФМ РАН
Руководитель организации-инициатора
Гавриленко Владимир Изяславович

Этапы проекта

1
04.08.2008 - 20.11.2008
В ходе выполнения проекта теоретически проанализирована схема каскадного лазера терагерцового диапазона на примеснозонных оптических переходах в ?-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs n-типа. Проанализированы возможности создания примеснозонных каскадных лазеров на основе гетероструктур Si/Ge. Экспериментально обнаружен эффект усиления терагерцового излучения на переходах между долинами зоны проводимости и связанными состояниями кулоновских центров легирования в напряженной многослойной (49 периодов) гетероструктуре Si:P/Si1-xGex (x=0.04) с встроенной деформацией слоев кремния, эквивалентной их сжатию в поперечном направлении давлением ~1 кбар, с селективным легированием фосфором слоев кремния при возбужднии излучением CO2 лазера на длине волны 10.6 мкм. Экспериментально исследованы спектры и кинетика примесной фотопроводимости в гетероструктурах n-GaAs/InGaAsP и p-Ge/GeSi с квантовыми ямами.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2008, 4 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИОФ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Оптические материалы, активные и пассивные компоненты для терагерцового, ближнего и среднего ИК- диапазонов.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка новейших методов нанолитографии и реактивного ионного травления ультратонких сверхпроводящих пленок как основа создания рекордных по характеристикам терагерцовых супергетеродинных приемников и счетчиков фотонов инфракрасного диапазона.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1