Эксπир
Регистрация / Вход

Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.0009
Организация
ФИАН
Руководитель работ
Попов Юрий Михайлович
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.

Этапы проекта

1
04.08.2008 - 20.11.2008
В области лазеров с катодно – лучевой и оптической накачкой:
Развитие технологии эпитаксиального выращивания наноразмерных структур ZnСdSSe/ZnMgSSe методами парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии; выращивание наноразмерных структур для полупроводниковых лазеров с продольной оптической и электронной накачкой, излучающих в видимой области спектра; исследование их люминесцентных свойств и дефектный состав; разработка лабораторной технологии изготовления активных элементов лазеров с микрорезонатором и протяженным резонатором; исследование характеристик лазеров в различных режимах возбуждения.
В области диодных лазеров:
Разработка методов получения стабильных нанопереходов между слоями металлизации теплоотводящих элементов, очистки и деоксидирования поверхности теплоотводящих элементов и пленок припоя с целью изготовления лазерных диодов с выходной мощностью не менее 4 Вт и сроком службы не менее 6000 час.
В области генерации УКИ:
Теоретический анализ и модификация уравнений, характеризующих неустойчивые режимы генерации лазеров, для обоснования возможности получения последовательности фемтосекундных импульсов излучения в диодном лазере.
Изготовление лабораторной конструкции наноструктурного диодного лазера, с использованием внешнего резонатора и быстродействующего нелинейного элемента для получения фемтосекундных импульсов с длительностью не более 300 фс.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФТТ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование полупроводниковых наноструктур для генераторов микроволнового излучения и поляритонных лазеров.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование условий формирования и свойств низкоразмерных наноструктур на поверхности полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3