Эксπир
Регистрация / Вход

Технологии выращивания и электронные свойства комбинированных наноструктур для оптоэлектронных и магнитных устройств

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.0021
Организация
ФИАН
Руководитель работ
Багаев Виктор Сергеевич
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Сибельдин Николай Николаевич

Этапы проекта

1
04.08.2008 - 20.11.2008
Краткое описание выполненных работ:
Разработана технология выращивания структурно-совершенных наноструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 на SiGe “виртуальных подложках” с плотностью дислокаций на уровне 105 см-2 .
Проведено исследование процессов зарождения и размножения дислокаций в наноструктурах на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 на SiGe “виртуальных подложках”.
Исследованы люминесцентных свойств выращенных наноструктур в широком диапазоне температур (4,2 - 300 К).
Проведено сравнение люминесцентных свойств наноструктур, выращенных на “виртуальных подложках”, со свойствами наноструктр со схожими параметрами, выращенных на обычных GaAs подложках.
Выращены периодические гетероструктуры PbTe-EuTe, состоящие из трех пар слоев с относительным оптическим контрастом ?N/N~ 40% и толщинами, равными четверти длины волны в каждом слое.
Созданы эпитаксиальные брэгговские зеркала для среднего ИК-диапазона с коэффициентами отражения в области стоп-зон R~ 99,7 – 99,8 % в спектральном диапазоне 4-10 мкм.
Исследованы структурные, электрические и оптические свойства отдельных слоев и брэгговских структур на основе тройного твердого раствора PbEuTe (0 ? x ? 1).
Разработана технология выращивания многослойных систем магнитных наноостровков, с помощью которой можно воспроизводимым образом получать структуры, способные обнаруживать сверхслабые магнитные поля до 10-6 Э.
Проведены исследования электронного транспорта и магнитооптических свойств структур с системами магнитных наноостровков.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФГБОУ ВО "УГАТУ"
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИМХ РАН
профинансировано
Тема
Технологии выращивания и электронные свойства комбинированных наноструктур для оптоэлектронных и магнитных устройств.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка физических принципов управления размерами наноструктуры при выращивании покрытий многомикронной толщины из ускоренных плазменных потоков в вакууме.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Изучение низкоразмерных сильно-коррелированных электронных систем в полупроводниках и сверхпроводниках с применением сильных магнитных полей, низких температур и высоких давлений.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка лабораторных технологий получения и методик комплексного исследования органических и неорганических наноструктур, углеродных нанотрубок с использованием рентгеновского и электронного рассеяния, атомно-силовой и электронной микроскопии.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Новые наноструктурированные материалы, полученные на основе металлоорганических соединений.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3