Эксπир
Регистрация / Вход

Матрицы наноструктур для получения мультицветного изображения в субтерагерцовом диапазоне частот

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3002
Организация
ИФТТ РАН
Руководитель работ
Кукушкин Игорь Владимирович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
12 млн
Внебюджетные средства
1,64 млн

Разработка методов и лабораторных регламентов получения полупроводниковых наноструктур для матриц малоинерционных малошумящих детекторов, обеспечивающих «мультицветность» изображения и работающих при достаточно высоких температурах (выше -100оС) на эффекте резонансного возбуждения, интерференции и детектирования двумерных плазменных волн разного типа, для медицинских томографов и сканеров взрывчатых веществ и наркотиков, исследование их свойств и характеристик в зависимости от технологических факторов, наработка опытных образцов для матриц малошумяших детекторов.

Соисполнители

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Волков Владимир Александрович

Предложения

Терагерцовый сканирующий зондовый микроскоп
Тема
Терагерцовый сканирующий зондовый микроскоп
Входящий номер
5827
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель организации-инициатора
Забродский Андрей Георгиевич
Интегральный квантовый приемник субмм волн на основе сверхпроводниковых наногетероструктур
Тема
Интегральный квантовый приемник субмм волн на основе сверхпроводниковых наногетероструктур
Входящий номер
6595
Организация
ФИАН
Руководитель организации-инициатора
Колачевский Николай Николаевич
 Показать еще 1 предложение
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
14.07.2008 - 15.11.2008
1. Проведен анализ научно-технической литературы и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Сопоставлены ожидаемые показатели новой продукции после внедрения результатов НИР с существующими показателями изделий-аналогов.
3. Разработана общая методика проведения исследований.
4. Изготовлены экспериментальные образцы GaAs/AlGaAs-наноструктур.
5. Разработан, изготовлен и смонтирован первый вариант измерительной установки.
6. Проведены тестовые измерения экспериментальных образцов GaAs/AlGaAs-наноструктур, обработаны данные, даны теоретические оценки.
7. Проведены исследования процессов преобразования электромагнитного излучения в плазменные волны, зависимости эффективности этого преобразования от проводимости электронного канала, концентрации электронов и температуры, а также от размеров и геометрии металлического контакта, служащего приемной антенной для падающего излучения.
8. Исследованы эффекты многоволновой интерференции плазменных волн в различных геометриях и реализациях электронных наноструктур.
9. Разработаны способы изготовления полупроводниковых наноструктур на основе GaAs с целью обеспечения максимального спектрального разрешения и минимальных шумов элементов матрицы, работающих в указанном диапазоне частот.
10. Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
Развернуть
2
16.11.2008 - 31.12.2008
Проведено исследование микроволнового отклика элементов матрицы разной геометрии при различных магнитных полях и температурах.
Выявлен физический механизм появления микроволнового отклика. Экс-периментально установлено, что преобразование плазменной волны в посто-янное напряжение происходит в месте резкого изменения параметров дву-мерной электронной системы. Результаты согласуются с теоретическими представлениями.
Проведена оптимизация чувствительности и спектрального разрешения элементов матрицы детекторов, повышения квантового выхода по топологии элементов, геометрии металлизации и величине магнитного поля.
С учетом вышеуказанной оптимизации проведено уточнение способов из-готовления и методик измерений экспериментальных образцов GaAs/AlGaAs-наноструктур. Это позволило на порядок увеличить чувстви-тельность и квантовый выход единичных элементов матрицы.
Продемонстрирована работоспособность элементов матрицы вплоть до температур, достижимых при помощи стандартных холодильных элементов Пелтье.
Развернуть
3
01.01.2009 - 14.06.2009
Спроектированы и созданы тестовые образцы матриц на основе GaAs/AlGaAs-наноструктур путём совмещения на одном полупроводниковом чипе многих детекторов для получения субтерагерцового изображения. Разработана методика экспериментальных исследований образцов матриц. Построены теоретические модели объекта исследований.
Развернуть
4
15.06.2009 - 31.10.2009
Проведены дополнительные исследования экспериментальных образцов GaAs/AlGaAs-наноструктур. Сделана оценка возможности создания конкурентоспособной продукции и услуг и разработаны рекомендации по использованию результатов проведенных НИР. 6. Выпущен лабораторный регламент на процесс получения полупроводниковых наноструктур и матрицы на основе GaAs/AlGaAs-наноструктур.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Матрицы наноструктур для получения мультицветного изображения в субтерагерцовом диапазоне частот
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
12 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка метода получения рентгеночувствительного селенида цинка и создание на его основе линейной матрицы рентгеновских детекторов для медицинской томографии.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
16,7 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка технологии изготовления высокочувствительных гибридных полупроводниковых наноструктур для детектирования жидкостей и газов при температуре окружающей среды.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
1
Тема
Кодирование и передача динамически меняющихся изображений.
Продолжительность работ
2007 - 2008, 17 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Количество заявок
7
Тема
Разработка программных средств обработки изображений и потоковых данных, включая данные сенсоров, работающих вне видимого диапазона, для задач автоматического формирования модельного описания новых объектов и распознавания образов.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 25 мес.
Бюджетные средства
99,93 млн
Количество заявок
3