Эксπир
Регистрация / Вход

Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3011
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель работ
Тарасов Илья Сергеевич
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
1,4 млн

Разработка методов создания туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально - интегрированных мощных источников, излучающих в ближнем ИК диапазоне, для массового применения в навигационных системах, атмосферных лидарах, в технологических системах обработки, сварки, резки, испарения и медицинской аппаратуре.

Соисполнители

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Пихтин Никита Александрович

Предложения

Разработка технологии тунельно-связанных наноструктур для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения
Тема
Разработка технологии тунельно-связанных наноструктур для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения
Входящий номер
5545
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель организации-инициатора
Забродский Андрей Георгиевич
Разработка и научное обоснование ресурсосберегающих технологических решений производства обогащенных и функциональных молочных и молокосодержащих продуктов
Тема
Разработка и научное обоснование ресурсосберегающих технологических решений производства обогащенных и функциональных молочных и молокосодержащих продуктов
Входящий номер
5583
Организация
ФГБОУ ВО "ВГУИТ"
Руководитель организации-инициатора
Чертов Евгений Дмитриевич
 Показать еще 1 предложение
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
11.08.2008 - 10.12.2008
Выбраны и обоснованы принципы конструирования туннельно – связанных эпитаксиально - интегрированных наноструктур.
Разработана базовая конструкция туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур.
Разработаны методы создания резких P и N профилей легирования твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5 и проведены исследования созданных экспериментальных образцов.
Разработаны методы создания туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур излучающих в условиях высоких уровней инжекции
Изготовлены лабораторные образцы туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур и исследованы их свойства.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96
Развернуть
2
01.01.2009 - 31.07.2009
Разработаны методы создания туннельных переходов для эпитаксиально - интегрированных наноструктурах на основе твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5. Изготовлены экспериментальные образцы импульсных источников излучения на основе туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур и исследованы их свойства.
Развернуть
3
01.08.2009 - 31.10.2009
Доработана лабораторная ТИ получения вертикально-интегрированных образцов импульсных источников излучения. Проведены исследования характеристик экспериментальных образцов вертикально интегрированных импульсных источников излучения
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,3 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка базовой технологии полупроводниковых наноструктур для источников и приемников излучения систем оптического мониторинга
Продолжительность работ
2007 - 2008, 14 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1