Эксπир
Регистрация / Вход

Многофункциональные гомо- и гетероструктуры на основе соединений AIVBIV и AIIIBV для перспективных разработок нового поколения приборов силовой и СВЧ-электроники.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3019
Руководитель работ
Каргин Николай Иванович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
1,11 млн

Разработка лабораторной технологии получения многофункциональных тонкопленочных, гомо- и гетероэпитаксиальных структур на основе широкозонных полупроводников (карбида кремния, нитридов алюминия и галлия) для создания новых приборов силовой и СВЧ- электроники, работоспособных в широком диапазоне изменения температур (4,2 900 К) и агрессивных средах.

Соисполнители

Предложения

Синтез и исследование свойств нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V
Тема
Синтез и исследование свойств нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V
Входящий номер
6968
Организация
СПбФТНОЦ РАН
Руководитель организации-инициатора
Алферов Жорес Иванович
:Поиск технологических путей создания на основе нанотехнологий высокоэффективных солнечно-слепых ОЭС-фотокатодов на основе эпитаксиальных структур полупроводниковых нитридов галлия, алюминия, индия, включая короткопериодные сверхрешетки
Тема
:Поиск технологических путей создания на основе нанотехнологий высокоэффективных солнечно-слепых ОЭС-фотокатодов на основе эпитаксиальных структур полупроводниковых нитридов галлия, алюминия, индия, включая короткопериодные сверхрешетки
Входящий номер
6660
Организация
АО "ЦНИИ "Электрон"
Руководитель организации-инициатора
Алымов Олег Витальевич
 Показать еще 4 предложения
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
08.08.2008 - 08.12.2008
Краткое описание выполненных работ:
- проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
- произведен выбор и обоснование принятого направления исследований и способов решения поставленных задач.
- разработана общая методика проведения исследований, включающая последовательность синтеза образцов гетерострукутр и описание комплексного подхода к их исследованию.
- разработан эскизный проект на создание установки низкотемпературного синтеза гомо- и гетероструктур.
- изготовлена установка низкотемпературного синтеза тонкопленочных гомо- и гетероструктур.
Развернуть
2
01.01.2009 - 30.06.2009
Разработана лабораторная технология синтеза эпитаксиальных слоев, формирования тонкопленочных структур, гетероструктур и многослойных гетерокомпозиций.
Развернуть
3
01.07.2009 - 31.10.2009
Проведены дополнительные исследования: изучены механизмы протекания тока через гетероконтакт, природа рекомбинационных потерь и электронная структура зон на границе интерфейса.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Многофункциональные гомо- и гетероструктуры на основе соединений AIVBIV и AIIIBV для перспективных разработок нового поколения приборов силовой и СВЧ-электроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и/или силовых приборов
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
5