Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
2,2 млн

Разработка метода получения полупроводниковых наногетероструктур как материала с промежуточной зоной на основе плотного массива квантовых точек германия предельно малых значений в кремниевой матрице, объединенных квантовым транспортом носителей заряда, и экспериментально-теоретическое подтверждение особенностей его зонной диаграммы.

Соисполнители

Организация
ИФП СО РАН

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Коханенко Андрей Павлович

Предложения

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА НОВЫХ ТИПОВ ЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Тема
ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА НОВЫХ ТИПОВ ЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Входящий номер
337
Организация
ИБХФ РАН
Руководитель организации-инициатора
Курочкин Илья Николаевич
“Исследование возможности создания высокоэффективного солнечного фотоэлектрического элемента на основе монокристаллического кремния с использованием матричных наноструктур.”
Тема
“Исследование возможности создания высокоэффективного солнечного фотоэлектрического элемента на основе монокристаллического кремния с использованием матричных наноструктур.”
Входящий номер
6444
Организация
ООО "СОЛЭКС"
Руководитель проекта
Информация отсутствует
 Показать еще 3 предложения
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
25.08.2008 - 15.10.2008
В соответствии с техническим заданием и календарным планом работ на 1 этапе НИР
• Проведен анализ научно-технической литературы по созданию наногетероструктур, как материала с промежуточной зоной на основе плотного массива квантовых точек германия в кремнии.
• Показано преимущество фотопреобразователей на основе Ge-Si наногетероструктур, как материала с промежуточной зоной, по сравнению с существующими аналогами.
• Проведена оценка экономической эффективности от внедрения фотопреобразователей на основе Ge-Si наноструктур в системы преобразования солнечного света и теплового излучения в электричество.
• Разработан метод синтеза полупроводникового материала на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии с плотностью 1011 – 1012 см2 и латеральными размерами до 10 нм.
• Отработан метод увеличения плотности и уменьшения разброса по размерам квантовых точек.
• Изготовлены образцы полупроводникового материала на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
• Разработана общая методика проведения исследований свойств наногетероструктур Ge-Si.
• Проведены экспериментальные исследования оптических свойств наногетероструктур на основе квантовых точек германия в кремнии.
• Разработана физико-математическая модель формирования спектральных характеристик наногетероструктур Ge-Si, как материала с промежуточной зоной.
• Разработана методика проведения экспериментальных исследований электрофизических характеристик приборных структур на основе наногетероструктур Ge-Si с квантовыми точками.
• Проведен патентный поиск.
Созданная теоретическая модель формирования спектральных характеристик и проведенные экспериментальные исследования оптических свойст наногетероструктур подтвердили представление о них как полупроводниковом материале с промежуточной зоной, обеспечивающем поглощение на больших длинах волн, чем в кремнии, и более высокую эффективность преобразования солнечной и тепловой энергии.
Полученные результаты исследований наногетероструктур Ge-Si будут использованы на 2 этапе НИР для оптимизации метода синтеза полупроводникового материала на основе многослойных наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии, а также для расчета спектральных характеристик и экспериментальных исследований характеристик наногетероструктур на основе систем с квантовыми точками германия в кремнии
Развернуть
2
16.10.2008 - 31.12.2008
Проведена оптимизация метода синтеза полупроводникового материала на основе многослойных наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Изготовлены лабораторные образцы полупроводниковых наногетероструктур Ge-Si.
Рассчитаны спектральные характеристики наногетероструктур как материала с промежуточной зоной.
Разработаны методики проведения измерений характеристик Ge-Si наногетероструктур.
Проведены экспериментальные исследования характеристик наногетероструктур с промежуточной зоной на основе квантовых точек германия в кремнии.
Проведено сравнение расчетных и экспериментальных результатов исследований наногетероструктур.
Развернуть
3
01.01.2009 - 15.06.2009
Изготовлены два лабораторных макета фотопреобразователей солнечного излучения. Откорректирована физико-математическая модель формирования спектральных характеристик фотопреобразователей на основе Ge-Si наноструктур.
Развернуть
4
16.06.2009 - 31.10.2009
Оптимизирована лабораторная технология управляемого синтеза полупроводниковых наногетероструктур на основе кремния с квантовыми точками германия нанометровых размеров. Проведены дополнительные экспериментальные исследования фотоэлектрических характеристик Ge-Si наногетероструктур.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Резонансно-туннельные наногетероструктуры для квантово-классических интегральных схем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Интегральный квантовый приемник субмм волн на основе сверхпроводниковых наногетероструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения (кремниевый ИК-фотоприемник с обработкой сигнала в ячейках матрицы).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
19,06 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка комплексно оснащённых, компактных нанотехнологических лабораторий, предназначенных для создания широкого класса полупроводниковых приборов, в том числе для разработки опытно-промышленной технологии производства наногетероструктур для широкоформатных QWIP-матриц тепловых сенсоров.
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
2