Эксπир
Регистрация / Вход

Наноструктурированные полупроводниковые эпитаксиальные слои на кремнии для тепловизионных устройств нового типа

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3030
Организация
ИФП СО РАН
Руководитель работ
Климов Александр Эдуардович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
1,76 млн

Разработка лабораторных методов получения узкозонных полупроводниковых слоев твердых растворов А4В6, совместимых с кремниевой технологией, для интегральных матричных тепловизионных устройств медицинского назначения нового поколения, совмещающих на едином кремниевом кристалле матрицу фоточувствительных элементов и электронную схему обработки фотосигнала (мультиплексор).

Соисполнители

Организация
НГТУ

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Есаев Дмитрий Георгиевич

Предложения

Новые полупроводниковые материалы для создания высокочувствительных матричных фотоприемных систем терагерцового спектрального диапазона
Тема
Новые полупроводниковые материалы для создания высокочувствительных матричных фотоприемных систем терагерцового спектрального диапазона
Входящий номер
5860
Руководитель организации-инициатора
Сысоев Николай Николаевич
Разработка технологии получения монолитных матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона на основе структур PbSnTe:In на Si с буферными наноразмерными слоями CaF2/BaF2.
Тема
Разработка технологии получения монолитных матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона на основе структур PbSnTe:In на Si с буферными наноразмерными слоями CaF2/BaF2.
Входящий номер
6378
Организация
ИФП СО РАН
Руководитель организации-инициатора
Латышев Александр Васильевич

Этапы проекта

1
25.08.2008 - 20.11.2008
1. Проведен анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Проведен анализ научно-технической литературы по изучению методов получения буферных слоёв CaF2 и BaF2.
3. Проведено обоснование принятого направления и описание способов решения поставленных перед НИР задач.
4. Разработаны рекомендации получения буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
5. Разработаны лабораторные методы получения эпитаксиальных слоев PbTe на кремнии, наногетероструктур PbTe:Ga/ CaF2/BaF2/ на кремнии и сверхрешеток PbSnTe/ PbTe.
6. Разработана общая методика проведения исследований лабораторных образцов и макетов фотоприемников;
7. Проведена адаптация лабораторных методов получения эпитаксиальных слоев PbTe на кремнии, совместимых с кремниевой технологией.
8. Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
Развернуть
2
21.11.2008 - 31.12.2008
1. Разработаны лабораторные технологические методы получения буферных слоев CaF2/BaF2 на кремнии.
2. Изготовлены буферные слои CaF2/BaF2 на кремнии.
3. Разработана методика проведения исследований сплошности и рельефа пленок CaF2 и BaF2 на кремнии в зависимости от параметров технологиче-ского процесса.
4. Проведены электронно-микроскопические исследования кристаллической структуры слоев CaF2 и BaF2.
5. Разработан метод легирования пленок PbTe галлием.
6. Разработана методика проведения электронно-микроскопических исследо-ваний кристаллической структуры слоев в зависимости от параметров техно-логического процесса и толщины слоев.
7. Установлены механизмы роста, обеспечивающие получение наноразмер-ных слоев CaF2 и BaF2 на кремнии с толщинами в диапазоне 10 – 200 нм с атомарно гладким их рельефом.
8. Разработаны методики проведения исследований сплошности и рельефа пленок PbTe на атомно-силовом микроскопе, проведения электронно-микроскопических исследований кристаллической структуры.
9. Проведены исследования сплошности и рельефа пленок PbTe на атомно-силовом микроскопе, проведены электронно-микроскопических исследова-ний кристаллической структуры.
10. Установлены механизмы роста, обеспечивающие получение эпитаксиаль-ных монокристаллических пленок PbTe с толщиной в диапазоне 100 – 1000 нм.
Развернуть
3
01.01.2009 - 15.07.2009
Разработана методика гальваномагнитных и магнитных измерений в сверхсильных магнитных полях до 40 Тл. Изготовлены лабораторные образцы монокристаллических слоев PbTe:Ga и наногетероструктур PbTe:Ga/CaF2/BaF2 на кремнии, сверхрешеток PbSnTe/PbTe
Развернуть
4
16.07.2009 - 31.10.2009
Проведены испытания макетов фотоприемников и проведён анализ соответствия параметров макетов фотоприемников требованиям ТЗ. Разработаны лабораторные технологические карты получения эпи-таксиальных слоев PbTe , совместимых с кремниевой технологией, сверхре-шеток PbSnTe/PbTe.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Тема
Наноструктурированные полупроводниковые эпитаксиальные слои на кремнии для тепловизионных устройств нового типа.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии получения полупроводниковых фоточувствительных материалов для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
48,6 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур (кремниевые интегральные рH-наносенсоры).
Продолжительность работ
2011 - 2012, 17 мес.
Бюджетные средства
0 млн
Количество заявок
1
Тема
Многофункциональные материалы на основе твердых растворов (SiC)1-Х - (AlN)Х для нового поколения быстродействующих электронных устройств силовой и оптоэлектроники
Продолжительность работ
2008 - 2009, 11 мес.
Бюджетные средства
13,3 млн
Количество заявок
1
Тема
«Разработка архивной мультигигабайтной голографической памяти на основе наноструктурированных фоточувствительных материалов и микроэлектромеханических устройств записи-считывания».
Продолжительность работ
2011 - 2012, 19 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
1