Эксπир
Регистрация / Вход

Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3032
Организация
АО "Гиредмет"
Руководитель работ
Леванович Борис Наумович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 13 мес.
Бюджетные средства
18,5 млн
Внебюджетные средства
4,1 млн

Разработка физико-химических основ процессов контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние монокристаллических композиций полупроводниковых соединений А2В6 и их твердых растворов, а также методик выращивания кристаллов с контролируемым отклонением от стехиометрии и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А2В6 на их основе. Создание гетероструктур соединений А2В6 с уникальными функциональными характеристиками для ИК-фотоприёмников, оптоэлектронных приборов, приборов ИК-спектроскопии.

Соисполнители

Организация
АНО МИА ТОН

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Денисов Игорь Андреевич

Этапы проекта

1
26.09.2008 - 08.12.2008
1 Проведен анализ научно-технической литературы и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2 Сделан выбор и проведено обоснование принятого направления исследований и способов решения поставленных задач.
3 Выработаны предварительные требования к параметрам кристаллов и эпитаксиальных слоев в соответствии с требованиями по назначению.
4 Проведен экспериментальный анализ тонкой структуры расплавов и анализ методов управления структурой расплава.
5 Разработана модель кластерированных расплавов с учетом образования в них наноразмерных неоднородностей.
6 Разработана модель образования и взаимодействия наноразмерных структурных дефектов и их влияния на локальную динамику кристаллической решетки.
7 Разработаны методические подходы к обнаружению и идентификации наноразмерных структурных дефектов.
8 Разработаны технологические основы выращивания кристаллов А2В6 в условиях контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.
9 Выращены экспериментальные образцы нелегированных кристаллов CdTe с промежуточными параметрами с целью разработки режимов управления стехиометрией и исследования их свойств.
10 Выращены экспериментальные образцы нелегированных кристаллов
Cd1-xZnxTe с промежуточными параметрами.
11 Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
Развернуть
2
01.01.2009 - 30.06.2009
Изготовлены пластины-подложки для проведения процессов эпитаксии из нелегированных кристаллов Cd1-xZnxTe; Изготовлен лабораторный стенд для проведения физических экспериментов по моделированию выращивания кристаллов вертикальным методом Бриджмена при активации расплавов низкочастотными аксиальными вибрациями с контролируемым давлением пара конденсируемого компонента.
Развернуть
3
01.07.2009 - 31.10.2009
Проведено изучение влияния легирования на структурное совершенство, электрофизические, оптические и механические свойства кристаллов и пластин-подложек на их основе. Проведено изучение влияния посткристаллизационного отжига на структурное совершенство, электрофизические, оптические и механические свойства кристаллов и пластин-подложек на их основе.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области естественных наук: 1. Теория и практика образования и эволюции нанокомпозитов с иерархической структурой пор в золь-гель процессах; 2. Сканирующая зондовая микроскопия материалов и элементов микро- и наноэлектроники. Новые аналитические возможности; 3. Материаловедение и диагностика элементов альтернативной энергетики; 4. Анализ структуры пористых материалов и релаксационных явлений в них; 5. Исследование наноструктурированных континуальных систем сегнетоэлектрик-полупроводник (диэлектрик) для нового поколения устройств функциональной электроники; 6. Исследование нелинейных свойств сегнетоэлектрических пленок в СВЧ диапазоне с целью создания формирователей ультракоротких импульсов; 7. Диагностика энергетического спектра светодиодных гетероструктур на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN методами адмиттансной спектроскопии; 8. Моделирование и подгонка экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами; 9. Политипизм и пути оптимизации дефектной структуры слитков карбида кремния; 10. Исследование процессов синтеза естественных сверхрешеток
Продолжительность работ
2009, 3 мес.
Бюджетные средства
2,9 млн
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
профинансировано
Тема
Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 13 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5-1,1 мкм на основе функционально-интегрированных структур)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения (кремниевый ИК-фотоприемник с обработкой сигнала в ячейках матрицы).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
19,06 млн
Количество заявок
1