Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3049
Организация
НаноИнТех
Руководитель работ
Шевяков Василий Иванович
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка лабораторных технологий атомно-слоевого осаждения металлических, диэлектрических и полупроводниковых покрытий на наноструктурированные поверхности для изготовления низковольтных автоэмиссионных катодов, сверхплотных запоминающих устройств и эффективных фотоэлектрических преобразователей.

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Редичев Евгений Николаевич

Этапы проекта

1
06.10.2008 - 01.12.2008
2.1. Разработаны лабораторные технологии атомно-слоевого осаждения сверхтонких покрытий TiO2, MgO, Al2O3, Cu, Pt на поверхность ноструктурированных углеродных материалов. Они обеспечивают формирование пленок TiO2, MgO, Al2O3, Cu, Pt в диапазоне толщин от 1 до 50 нм, точность контроля толщины на площади до 100 см2 составляет 0,5 нм, конформное их осаждение на наноструктурированные поверхности углеродных материалов и ZnO с характерным размером нанокристаллов от 5 до 100 нм, максимальную температуру осаждения сверхтонких покрытий 300 0С.
Созданные на основе разработанных методов гетероструктуры для автоэлектронных эмиссионных катодов на основе функционализированных УНТ и нитевидных нанокристаллов ZnO характеризуются пороговой напряженностью поля автоэлектронной эмиссии 7 В/мкм и плотностью тока автоэлектронной эмиссии экспериментальных образцов 11 мА/см2. Гетероструктуры для сред петабитных ЗУ на основе функционализированных углеродных материалов обеспечивают коэффициент умножения вторичных электронов более 10. Гетероструктуры для фотоэлектрических преобразователей на основе функционализированных наноструктурированных слоев акцепторов электронов TiO2, содержащих углеродные нанотрубки, при облучении солнечным светом мощностью 100 мВт/см2 характеризуются напряжением холостого хода 0,66 В и плотностью тока короткого замыкания 10 мА/см2.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения наноструктурированных металлических элементов на поверхности диэлектриков с использованием лазерного осаждения металла из жидкой фазы для создания элементов устройств современной фотоники и микроэлектроники с участием научных организаций Финляндии.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Количество заявок
1
Тема
«Разработка экспериментальных образцов наноструктурированных биосовместимых покрытий с контролируемыми топографией, пористостью и составом поверхности на основе металлических и металлокерамических материалов для создания костных имплантатов».
Продолжительность работ
2011 - 2012, 19 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
5
Тема
Получение кристаллических металлических и полупроводниковых нанопроводов в диэлектрической матрице из собственного оксида и исследование их структурных и электрофизических свойств.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 20 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1