Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка физико-технологических основ интегрированных Шоттки-pn (JBS) - структур на основе карбида кремния, создание и испытание лабораторных образцов высокотемпературных (до 250oC), высоковольтных (не менее 1500 В) 4H-SiC JBS-диодов

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.516.12.6009
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель работ
Грехов Игорь Всеволодович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
1,2 млн

Создание научно-технологического задела в области физики и технологии JBS-структур на основе карбида кремния, изготовление лабораторных образцов высокотемпературных, высоковольтных и быстродействующих 4H-SiC JBS-диодов и проведение их испытаний.

Соисполнители

Организация
ООО "ЦНТР"

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Иванов Павел Анатольевич

Этапы проекта

1
01.08.2008 - 05.12.2008
Таким образом, проведенные работы по созданию мощных высоковольтных 4H-SiC JBS-диодов закладывают базу для развития в России новой ульт-расовременной отрасли полупроводниковой промышленности
Развернуть
2
01.01.2009 - 30.06.2009
Изготовлены 4H-SiC Шоттки-, pn- и JBS-структуры с разной топологией с целью сравнительного анализа их электрических характеристик.
Развернуть
3
01.07.2009 - 31.10.2009
Разработаны и изготовлены экспериментальные образцы JBS-диодов, рассчитанные на обратное напряжение 1500 В, прямой ток 15 А и максимальную рабочую температуру 250oC. Проведены электрические испытания изготовленных JBS-диодов на изготовленных стендах. Разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую разработку 4H-SiC JBS-диодов.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.6 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области энергоэффективности, энергоснабжения и ядерной энергетики
Продолжительность работ
2017 - 2019, 25 мес.
Бюджетные средства
250 млн
Организация
МИЭТ
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 27 мес.
Бюджетные средства
0,5 млн
Организация
ОАО"НИИФИ"
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
профинансировано
Тема
Разработка физико-технологических основ интегрированных Шоттки-pn (JBS) - структур на основе карбида кремния, создание и испытание лабораторных образцов высокотемпературных (до 250oC), высоковольтных (не менее 1500 В) 4H-SiC JBS-диодов.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка электрооборудования с использованием технологии высокотемпературной сверхпроводимости.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
5
Тема
«Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (микрофотонные комплексированные системы на основе кремния)».
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конструктивно-технологических решений в области высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний на изоляторе
Продолжительность работ
2014 - 2016, 25 мес.
Бюджетные средства
44,1 млн
Количество заявок
3
Тема
Синтез тонких пленок карбида кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3