Эксπир
Регистрация / Вход

Спектрокинетические и фотоэлектрические свойства наноразмерных полупроводниковых структур на основе Si, SiGe и А3В5

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.518.11.7031
Организация
ИФМ РАН
Руководитель работ
Красильник Захарий Фишелевич
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Опережающее развитие приборной базы научных исследований по приоритетным направлениям Программы и проведение исследований с использованием уникальной экспериментальной базы

Предложения

Развитие научно-технологического комплекса установок для механоактивационного получения, обработки и исследования свойств нанокристаллических и ультрадисперсных каталитических, магнитных, изно-соустойчивых, вибродемпфирующих порошковых материалов и припоев с управляемыми фракционным составом и эксплуатационными свойствами
Тема
Развитие научно-технологического комплекса установок для механоактивационного получения, обработки и исследования свойств нанокристаллических и ультрадисперсных каталитических, магнитных, изно-соустойчивых, вибродемпфирующих порошковых материалов и припоев с управляемыми фракционным составом и эксплуатационными свойствами
Входящий номер
623
Руководитель организации-инициатора
Орыщенко Алексей Сергеевич
Модернизация и использование уникального научного оборудования для исследования быстрых процессов в диэлектриках, включая нанокристаллы и композиты, при синхронизированном воздействии мощных импульсов радиации, сильных электрических и механических полей
Тема
Модернизация и использование уникального научного оборудования для исследования быстрых процессов в диэлектриках, включая нанокристаллы и композиты, при синхронизированном воздействии мощных импульсов радиации, сильных электрических и механических полей
Входящий номер
576
Организация
ФГАОУ ВО НИ ТПУ
Руководитель организации-инициатора
Чубик Петр Савельевич
 Показать еще 18 предложений
 Скрыть другие предложения

Этапы проекта

1
19.04.2007 - 30.06.2007
В ходе выполнения первого этапа проекта с помощью экспериментального оборудования уникального стенда мощных (до 2 ГВт) импульсных лазеров и параметрических генераторов света, перестраиваемых в диапазоне длин волн 0,3-2,5 мкм (УСУ «Фемтоспектр») проведены исследования кинетики неравновесных носителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия, выполнены исследования радиационного воздействия гамма-квантами и электронами на люминесцентные свойства Ge/Si гетероструктур. Продемонстрирована высокая радиационная стойкость структур с Ge(Si) самоформирующимися островками. Обнаружен эффект возгорания электролюминесценции ионов Ег3+ при увеличении температуры. Исследована кинетика фотоотклика приемника терагерцового излучения в условиях квантового эффекта Холла. Зарегистрирован эффект перестройки частоты стимулированного излучения в ИК диапазоне в гетероструктуре InGaAs - AlGalnAs при изменении интенсивности оптической накачки. Подготовлено 4 статьи, 21 доклад на российские и 10 докладов на международные конференции, 2 дипломные магистерские работы и 3 кандидатские диссертации.
Развернуть
2
01.07.2007 - 07.12.2007
В ходе выполнения второго этапа проекта с помощью экспериментального оборудования уникального стенда мощных (до 2 ГВт) импульсных лазеров и параметрических генераторов света, перестраиваемых в диапазоне длин волн 0,3-2,5 мкм (УСУ «Фемтоспектр»), проведены исследования спектров и кинетики фотолюминесценции в гетероструктурах GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами, выполнены исследования радиационного воздействия гамма-квантами, электронами и нейтронами на электролюминесценцию диодных Ge/Si гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Продемонстрирована высокая радиационная стойкость структур с Ge(Si). Исследованы температурные зависимости интенсивности и кинетики спада электролюминесценции в n-Si:Er:O/p-Si диодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Получена генерация излучения на разностной частоте в среднем ИК диапазоне в двухчастотном полупроводниковом лазере ближнего ИК диапазона на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP. Исследован фотоотклик приемника на циклотронном резонансе в условиях квантового эффекта Холла.
По результатам исследований, выполненных с использованием оборудования УСУ, опубликовано 12 и направлено в печать 4 статьи, представлено 26 докладов на российских и 10 докладов на международных конференциях, защищено 2 дипломные магистерские работы и 2 кандидатских диссертации. В 2007 г. услугами УСУ «Фемтоспектр» воспользовались 7 сторонних организаций, в том числе две зарубежных. Создана страница УСУ «Фемтоспектр» на Интернет-сайте ИМФ РАН.
Развернуть
3
01.01.2008 - 30.06.2008
В ходе выполнения третьего этапа проекта с помощью экспериментального оборудования уникального стенда мощных (до 2 ГВт) импульсных лазеров и параметрических генераторов света, перестраиваемых в диапазоне длин волн 0,3-2,5 мкм (УСУ «Фемтоспектр»), продолжены исследования спектров и кинетики фотолюминесценции в гетероструктурах GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами, выполнены исследования спектров примесной фотопроводимости в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами. Исследована кинетика релаксации примесной фотопроводимости в квантовых ямах GaAs/InGaAsP, легированных мелкими донорами. С субпикосекундным временным разрешением изучены спектры модуляции пропускания гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами. Получена генерация излучения на разностной частоте в среднем ИК диапазоне (длина волны 8 – 12 мкм) в двухчастотном полупроводниковом лазере ближнего ИК диапазона на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP. По результатам исследований, опубликовано 7 и направлено в печать 2 статьи, представлено 19 докладов на российских и 4 доклада на международных конференциях, защищено 3 дипломные бакалаврские и 2 дипломные магистерские работы.
Развернуть
4
01.07.2008 - 31.10.2008
В ходе выполнения проекта с помощью экспериментального оборудования уникального стенда мощных (до 2 ГВт) импульсных лазеров и параметрических генераторов света, перестраиваемых в диапазоне длин волн 0,3-2,5 мкм (УСУ «Фемтоспектр»), проведены исследования кинетики фотолюминесценции и отражения в GaAs с нанокластерами алюминия, пикосекундной динамики фотолюминесценции и пропускания гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами, релаксации примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах GaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, временные характеристики фотоотклика на циклотронном резонансе двумерных электронов в гетероструктуре GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла. Выполнены исследования радиационного воздействия гамма-квантами, электронами и нейтронами на электро- и фотолюминесценцию гетероструктур Ge/Si с квантовыми ямами и квантовыми точками. Продемонстрирована высокая радиационная стойкость структур с квантовыми точками. Исследована эффективность светоизлучающих структур Si:Er/Si. Получена генерация излучения на разностной частоте в среднем ИК диапазоне в двухчастотном полупроводниковом лазере ближнего ИК диапазона на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP. Выполнены спектрокинетические исследования гетероструктур GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами, представляющих интерес для создания лазеров на телекоммуникационный диапазон 1.3 мкм. Обнаружен эффект перестройки частоты стимулированного излучения из гетероструктур на основе соединений InGaAs – AlGaInAs при изменении интенсивности оптической накачки. В спектрах фотопроводимости гетероструктур p-InGaAs/GaAs обнаружены переходы в возбужденные локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов.
По результатам исследований, выполненных с использованием оборудования УСУ, опубликовано 26 и направлено в печать 9 статей, представлено 58 докладов на российских и 22 доклада на международных конференциях, защищены 4 магистерские, 3 бакалаврские дипломные работы, 2 кандидатские диссертации, 2 кандидатские диссертации приняты к защите. В 2007-2008 гг. услугами УСУ «Фемтоспектр» воспользовались 20 сторонних организаций, в том числе шесть организаций из дальнего зарубежья. Создана страница УСУ «Фемтоспектр» на Интернет-сайте ИМФ РАН.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.8 Проведение исследований с использованием уникальных стендов и установок, а также уникальных объектов научной инфраструктуры (включая обсерватории, ботанические сады, научные музеи и др.), научных организаций и образовательных учреждений высшего профессионального образования
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Организация
ИПХФ РАН
профинансировано
Тема
Проведение исследований с использованием высокоэнергетических уникальных установок и комплексов (мероприятие 1.8 Программы)
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
61,8 млн
Количество заявок
15
Тема
Проведение исследований физических и химических процессов с использованием уникальных стендов и установок в области энергетики и энергосбережения (мероприятие 1.8 Программы)
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
111,6 млн
Количество заявок
32
Тема
Проведение исследований состава, структуры и свойств веществ и перспективных материалов с использованием уникальных установок (мероприятие 1.8 Программы)
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
148,8 млн
Количество заявок
57
Тема
Проведение исследований в области живых систем с использованием уникальных установок (мероприятие 1.8 Программы)
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
69,6 млн
Количество заявок
33
Тема
Проведение исследований в области рационального природопользования с использованием уникальных установок (мероприятие 1.8 Программы).
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
155,4 млн
Количество заявок
46