Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка семейства высокочувствительных интеллектуальных нано- и микроэлектронных датчиков и микросхем на их основе, характеризующихся повышенной устойчивостью к радиационным и температурным воздействиям

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
14.576.21.0026
Досье недоступно
Организация
АО "ПКК Миландр"
Руководитель работ
Какоулин Михаил Иннокентьевич
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Внебюджетные средства
6,5 млн

Создание новой продукции и технологий с целью создания конкретного образца (типа изделия, материала) или исследования особенностей его функционирования или применения

Этапы проекта

1
30.06.2014 - 31.12.2014
Выбор оптимального решениядля разработки высокотемпературных микроэлектронных датчиков на основе структур «кремний на изоляторе», что позволяет полностью использовать для изготовления датчиков стандартные базовые технологические процессы современной кремниевой микроэлектроники.
Развернуть
2
01.01.2015 - 30.06.2015
Разработка конструкции кристаллов чувствительных элементов датчиков температуры и магнитного поля, а также конструкции датчиков и микросистем на их основе.
  Разработка радиационно-термических методов модификации электрических свойств слоя кремния КНИ структуры, подзатворных диэлектриков КНИ транзисторов (включая скрытый диэлектрический слой в кремнии) и обоих интерфейсов кремний-диэлектрик, основанные на изменении кинетики накопления радиационных нарушений и индуцированного заряда к компонентах КНИ структуры.
  Разработка схемотехнических методов, позволяющих улучшить характеристики чувствительных элементов и датчиков магнитного поля и температуры:
- метод модуляции проводимости канала потенциалами затворов с последующим синхронным детектированием холловского сигнала, обеспечивающий повышение на 2 порядка величины;
- метод гетеродинного измерения в переменных магнитных полях, одновременно обеспечивающий повышение сигнал/шум;
- метод чередования закрытого – открытого канала, позволяющий повысить радиационную стойкость датчиков пропорционально отношению длительности периодов времени закрытый открытый транзистор,
- метод использования собственных осцилляций тока на участке лавинного умножения вольт-амперных характеристик чувствительных элементов для создания высокочувствительных преобразователей воздействие-частота;
- метод формирования обратных связей выходных сигналов чувствительных элементов у управляющих затворов для стабилизации работы датчиков.
Развернуть
3
01.07.2015 - 31.12.2015
Разработаны и изготовлены лабораторные образцы микросистем датчиков магнитного поля и температуры с частотным выходом и исследованы их основные характеристики. Разработан и изготовлен тестовый модуль. Исследованы возможности повышения радиационной стойкости двухзатворных тонкопленочных кремниевых полевых транзисторов со встроенным обогащенным каналом.
Развернуть
4
01.01.2016 - 30.06.2016
Изготовлены экспериментальные образцы кристаллов чувствительных элементов датчиков температуры и магнитного поля, датчиков температуры и магнитного поля, магниточувствительной микросистемы и микросистемы для измерения температуры с повышенными требованиями к воздействию внешних факторов.
Развернуть
5
01.07.2016 - 31.12.2016
Изготовлены экспериментальные образцы кристаллов чувствительных элементов датчиков температуры и магнитного поля, датчиков температуры и магнитного поля, магниточувствительной микросистемы и микросистемы для измерения температуры с повышенными требованиями к воздействию внешних факторов. Исследованы кристаллы чувствительных элементов и датчики на радиационную стойкость, проведен анализ результатов экспериментальных исследований экспериментальных образцов датчиков температуры и магнитного поля. Изготовлен макет бесконтактного датчика тока. Разработан проект ТЗ на выполнение ОКР.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"

Программное мероприятие

1.2 Проведение прикладных научных исследований для развития отраслей экономики
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению "Науки о жизни" в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
85
Тема
Конкурсный отбор трехлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению "Науки о жизни" в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
780 млн
Количество заявок
233
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Индустрия наносистем» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
105
Тема
Конкурсный отбор трехлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Индустрия наносистем» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
780 млн
Количество заявок
249
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Информационно-телекоммуникационные системы» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
200 млн
Количество заявок
87