Эксπир
Регистрация / Вход

Разработка перспективной технологии импульсного электрохимического формирования наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка для нового поколения изделий гелиоэнергетики, электроники и оптоэлектроники

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
27.10.2015 - 31.12.2015
Проведены теоретические исследования технологии электрохимического осаждения для получения наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка различной морфологии для изготовления на их основе нового поколения приборных структур гелиоэнергетики, электроники и оптоэлектроники. Разработана эскизная конструкторская документация на изготовление экспериментального образца лабораторной установки электроосаждения в импульсном режиме наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка.
Развернуть
2
01.01.2016 - 31.12.2016
Изготовлен экспериментальный образец лабораторной установки электроосаждения в импульсном режиме наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка. Проведены исследовательские испытания экспериментального образца лабораторной установки электроосаждения в импульсном режиме наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка. Проведены экспериментальные исследования наностержней и иерархических наноструктур оксида цинка, получаемых на экспериментальном образце лабораторной установки электроосаждения в импульсном режиме. Проведены экспериментальные исследования наностержней и иерархических наноструктур ZnO, получаемых на экспериментальном образце лабораторной установки электроосаждения в импульсном режиме. Разработано программное обеспечение для экспериментального образца автоматизированной электрохимической установки для получения наностержней и иерархических наноструктур ZnO.
Развернуть
3
01.01.2017 - 31.12.2017
Разработана техническая документация фоточувствительного электрода, антиотражающего слоя, селективного покрытия, самоочищающегося покрытия и газочувствительного слоя. Проведены исследовательские испытания (ИИ) автоматизированной электрохимической установки (АЭУ) для получения наностержней и иерархических наноструктур ZnO. Изготовлены окспериментальные образцы (ЭО) фоточувствительного электрода, антиотражающего слоя, селективного покрытия, самоочищающегося покрытия и газочувствительного слоя. Разработана программа и методика (ПМ) ИИ фоточувствительного электрода, антиотражающего слоя, селективного покрытия, самоочищающегося покрытия и газочувствительного слоя. Проведены ИИ фоточувствительного электрода, антиотражающего слоя, селективного покрытия, самоочищающегося покрытия и газочувствительного слоя. Разработана эскизная конструкторская документация (ЭКД) на доработку АЭУ с учетом результатов ИИ. Проведены ИИ ПО для АЭУ для получения наностержней и иерархических наноструктур ZnO. Изготовлен стенд для проведения ИИ АЭУ. Доработана АЭУ и проведены ее ИИ.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
Новые пористые наноматериалы и иерархические структуры на их основе. Химические методы получения. Особенности аналитической диагностики. 1. Золь-гель иерархические структуры, сформированные в нанообластях. Особенности получения и диагностики. 2. Эволюция фрактальных систем в условиях спинодального распада. Развитие теоретических представлений. 3. Пористый кремний и нанореактор на его основе Методики получения. 4. Электрохимия формирования упорядоченных пористых наноструктур на основе оксида алюминия. 5. Изолированные нанофазы магнитных наночастиц в диэлектрической матрице. Технология и диагностика. 6. Развитие методов электрохимического профилирования носителей заряда в полупроводниковых материалах с квантово-размерными областями. 7. Технология порошковых наноматериалов разного функционального назначения и диагностика удельной поверхности. 8. Эпитаксиальный графен на карбиде кремния. Новые подходы к теории адсорбции газов для сенсорики. 9. Современный нанокатализ в газопроницаемых слоях и мембран
Продолжительность работ
2011, 5 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
профинансировано
Продолжительность работ
2012 - 2013, 14 мес.
Бюджетные средства
0,79 млн
Организация
ДГУ
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологий микросенсорики и волоконной оптики и создание на их основе широкого класса изделий функциональной электроники для нового поколения интеллектуальных систем навигации и управления
Продолжительность работ
2007 - 2009, 23 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
1
Тема
«Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре промышленного применения и в специальных системах (магниторезистивная микросистема контроля силы тока)».
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
18 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Обеспечение центром коллективного пользования научным оборудованием комплексных исследований кристаллических сред с наноструктурами для оптоэлектроники и лазерной техники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 9 мес.
Бюджетные средства
17,2 млн
Количество заявок
2