Эксπир
Регистрация / Вход

Получение подложек полупроводникового монокристаллического карбида кремния для экстремальной микроэлектроники

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
П975
Досье недоступно
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
2,8 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
27.05.2010 - 21.09.2010
2
22.09.2010 - 03.12.2010
3
01.01.2011 - 20.09.2011
4
21.09.2011 - 02.12.2011
5
01.01.2012 - 21.09.2012
6
22.09.2012 - 03.12.2012

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.2.2 Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Синтез тонких пленок карбида кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1